블리스터 없는 태양 전지용 다결정 규소

• Main Authors: FILONOVICH SERGEJ, JAFFRENNOU PERINE, POULAIN GILLES OLAV, HABKA NADA, QIU TAIQING
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 01.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

태양 전지를 제조하는 방법이 본 명세서에 기술된다. 일 실시예에서, 태양 전지를 제조하는 방법은, 기판의 수광면 반대측의 상기 기판의 배면 상에 비정질 유전체 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 비정질 유전체 층 상에 미정질 규소 층을 형성하는 단계를 또한 포함한다. 이 방법은 PECVD에 의해 미정질 규소 층 상에 비정질 규소 층을 형성하는 단계를 또한 포함한다. 이 방법은 미정질 규소 층 및 비정질 규소 층을 어닐링하여 미정질 규소 층 및 비정질 규소 층으로부터 균질한 다결정 규소 층을 형성하는 단계를 또한 포함한다. 이 방법은 균질한 다결정 규소 층으로부터 이미터 영역을 형성하는 단계를 또한 포함한다. Described herein are methods of fabricating solar cells. In an example, a method of fabricating a solar cell includes forming an amorphous dielectric layer on the back surface of a substrate opposite a light-receiving surface of the substrate. The method also includes forming a microcrystalline silicon layer on the amorphous dielectric layer by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The method also includes forming an amorphous silicon layer on the microcrystalline silicon layer by PECVD. The method also includes annealing the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer to form a homogeneous polycrystalline silicon layer from the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer. The method also includes forming an emitter region from the homogeneous polycrystalline silicon layer.