PLASMA PROCESSING METHOD

• Main Author: NISHIJIMA TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

An objective of the present invention is to reduce a change amount of a tilting angle within an allowed range. A plasma processing apparatus comprises: a processing container to vent air to be in a vacuum state; a lower electrode on which a substrate to be processed is loaded in the processing container; a focus ring arranged around the lower electrode; an inner upper electrode arranged to face the lower electrode in the processing container; an outer upper electrode electrically insulated from the inner upper electrode in the processing container, and arranged on an outer side of the corresponding inner upper electrode; a quartz member arranged above the focus ring between the inner upper electrode and the outer upper electrode; a gas supply unit to supply processing gas to a processing space between the inner upper electrode and the outer upper electrode and the lower electrode; a first high frequency power supply unit to apply power of a first high frequency to generate plasma of the processing gas by high frequency discharging to the lower electrode or the inner upper electrode and the outer upper electrode; a first direct current power supply unit to apply a variable first direct current voltage to the outer upper electrode; and a control unit to control the first direct current voltage. A plasma processing method allows the control unit to control the first direct current voltage to reduce a change amount of a tilting angle. 틸팅 각도의 변화량을 허용 범위 내에서 저하시키는 것을 목적으로 한다. 진공 배기 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 피 처리 기판을 탑재하는 하부 전극과, 상기 하부 전극의 주위에 배치되는 포커스 링과, 상기 처리 용기 내에서 상기 하부 전극에 대향하여 배치되는 내측 상부 전극과, 상기 처리 용기 내에서 상기 내측 상부 전극으로부터 전기적으로 절연되며, 해당 내측 상부 전극의 외측에 배치되는 외측 상부 전극과, 상기 내측 상부 전극과 상기 외측 상부 전극의 사이에 있어서, 또한 상기 포커스 링의 상방에 배치되는 석영 부재와, 상기 내측 상부 전극 및 상기 외측 상부 전극과 상기 하부 전극의 사이의 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 고주파 방전에 의해 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 제 1 고주파의 전력을 상기 하부 전극 혹은 상기 내측 상부 전극 및 상기 외측 상부 전극에 인가하는 제 1 고주파 급전부와, 상기 외측 상부 전극에 가변의 제 1 직류 전압을 인가하는 제 1 직류 급전부와, 상기 제 1 직류 전압을 제어하는 제어부를 갖는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 틸팅 각도의 변화량을 저하시키도록, 상기 제 1 직류 전압을 제어하는, 플라즈마 처리 방법이 제공된다.