보호 테이프, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법

• Main Authors: EBISAWA KATSUYUKI, HONJYO KEIJI, MORIYAMA HIRONOBU, KANEKO JUNICHI, YAGI HIDEKAZU, ISHIMATSU TOMOYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.11.2017
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

땜납 접합성을 양호하게 하고, 웨이퍼의 휨량을 작게 할 수 있는 보호 테이프를 제공한다. 보호 테이프는, 접착제층과, 제 1 열 가소성 수지층과, 제 2 열 가소성 수지층과, 기재 필름층을 이 순서로 갖고, 하기 식 (1) ∼ (3) 의 조건을 만족한다. (1) Ga ＞ Gb (2) Ta ＜ Tb (3) (Ga × Ta ＋ Gb × Tb)/(Ta ＋ Tb) ≤ 1.4E ＋ 06Pa (식 (1) 중, Ga 는 보호 테이프를 첩부하는 첩부 온도에 있어서의 제 1 열 가소성 수지층의 저장 전단 탄성률이고, Gb 는 보호 테이프를 첩부하는 첩부 온도에 있어서의 제 2 열 가소성 수지층의 저장 전단 탄성률이다. 식 (2) 중, Ta 는 제 1 열 가소성 수지층의 두께이고, Tb 는 제 2 열 가소성 수지층의 두께이다. 식 (3) 중, Ga 및 Gb 는 식 (1) 중의 Ga 및 Gb 와 동일한 의미이고, Ta 및 Tb 는 식 (2) 중의 Ta 및 Tb 와 동일한 의미이다.) Ga represents a shear storage modulus of the first thermoplastic resin layer at a pasting temperature at which the protective tape is pasted; Gb represents a shear storage modulus of the second thermoplastic resin layer at the pasting temperature at which the protective tape is pasted; Ta represents a thickness of the first thermoplastic resin layer; and Tb represents a thickness of the second thermoplastic resin layer.