WAFER PROCESSING METHOD

• Main Authors: HOSHINO HITOSHI, TSUCHIYA TOSHIO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.10.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

(과제) 외주측에 링 형상 보강부가 형성된 웨이퍼로부터 링 형상 보강부를 제거해도, 웨이퍼를 적절히 위치 정합시키는 것. (해결 수단) 디바이스 영역 (A1) 의 주위에 링 형상 보강부 (71) 가 형성된 웨이퍼 (W) 로부터 링 형상 보강부를 제거하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 점착 테이프 (T) 를 개재하여 웨이퍼를 프레임 (F) 에 지지시키는 스텝과, 링 형상 보강부와 디바이스 영역의 경계부 (73) 보다 내경측에 노치 (N) 에 대응하는 마크 (M) 를 형성하는 스텝과, 링 형상 보강부와 디바이스 영역의 경계부를 점착 테이프와 함께 절단하여 디바이스 영역과 링 형상 보강부를 분리하는 스텝과, 링 형상 보강부를 프레임과 함께 유지 테이블로부터 이탈시켜 링 형상 보강부를 제거하는 스텝을 포함한다. Disclosed herein is a wafer processing method for removing an annular reinforcing portion from a wafer having a device area, the annular reinforcing portion being formed around the device area. The wafer processing method includes the steps of supporting the wafer through an adhesive tape to an annular frame, forming a mark corresponding to a notch at a position radially inside a boundary portion between the annular reinforcing portion and the device area, cutting the boundary portion together with the adhesive tape to thereby separate the annular reinforcing portion from the device area, and moving the annular reinforcing portion supported through the adhesive tape to the annular frame away from a holding table to thereby remove the annular reinforcing portion from the wafer.