Semiconductor device and method of fabricating the same and logic microprocessor

• Main Authors: SENGUPTA RWIK, RAKSHIT TITASH, RODDER MARK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.10.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 반도체 장치와 그 제조 방법 및 로직 마이크로 프로세서에 관한 것이다. 상기 반도체 장치는, 복수의 CMOS 트랜지스터(Complementary Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors; CMOSFETs)를 포함하는 회로 블록(circuit block), 및 상기 회로 블록을 파워 게이팅(power gating)하기 위해, 상기 회로 블록 및 접지(ground) 사이에 배치되는 터널링 전계 효과 트랜지스터(tunnel field-effect transistor; 이하, TFET)를 포함한다. An integrated circuit (IC) including a circuit block including a plurality of complementary metal oxide semiconductor field-effect transistors (CMOSFETs), and a tunnel field-effect transistor (TFET) between the circuit block and ground for power gating the circuit block.