IMPURITY DIFFUSION AGENT COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

• Main Authors: OHHASHI TAKUYA, SAWADA YOSHIHIRO, TAKAHASHI YU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.10.2017
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; CHEMISTRY; COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES ORLACQUERS; CORRECTING FLUIDS; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FILLING PASTES; INKS; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS THEREFOR; WOODSTAINS

(과제) 불순물 확산 성분을 확산시키는 대상의 반도체 기판이, 그 표면에 나노 스케일의 미소한 공극을 갖는 3 차원 구조를 그 표면에 구비하는 경우에도, 미소한 공극의 내표면 전체면을 포함하여 균일하게 도포할 수 있고, 그것에 의해 반도체 기판에 양호하고 또한 균일하게 붕소를 확산시킬 수 있는 확산제 조성물과, 당해 확산제 조성물을 사용하는 반도체 기판의 제조 방법을 제공하는 것. (해결 수단) 불순물 확산 성분 (A) 와, 가수 분해에 의해 실란올기를 생성할 수 있는 Si 화합물 (B) 를 함유하는 확산제 조성물에 있어서, 불순물 확산 성분 (A) 에 특정한 구조의 붕소를 함유하는 착물 화합물을 함유시킨다. A diffusion agent composition that, even when a semiconductor substrate which is an object into which an impurity diffusion ingredient is to be diffused has, on a surface thereof, a three-dimensional structure having nano-scale fine voids on a surface thereof, can be evenly coated on the whole area of an inner surface of the fine voids, whereby boron can be diffused into the semiconductor substrate, and a method for manufacturing a semiconductor substrate using the composition. The composition includes an impurity diffusion ingredient and a hydrolyzable Si compound to produce a silanol group, the impurity diffusion ingredient containing a complex compound containing boron having a specific structure.