RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION CURED FILM METHOD FOR FORMING THE CURED FILM AND ELECTRONIC DEVICE

The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition having low dielectric constant, being capable of obtaining a cured film having high surface hardness and voltage maintenance ratio and having excellent sensitivity; a cured film formed by the radiation-sensiti...

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Main Authors ASAOKA TAKAHIDE, MATSUMOTO TERUYUKI, KONNO YOUSUKE
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.09.2017
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Summary:The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition having low dielectric constant, being capable of obtaining a cured film having high surface hardness and voltage maintenance ratio and having excellent sensitivity; a cured film formed by the radiation-sensitive resin composition; a method for forming the cured film; and an electronic device having the cured film. The radiation-sensitive resin composition comprises polymer components having a structure unit with an oxetanyl group and a structure unit having an oxiranyl group in the same or different polymer molecules, and a radiation-sensitive acid generator generating acid having pKa of 4.0 or less. The content of the structure unit with an oxetanyl group with respect to the total structure unit of the polymer components is 50 mol% or more. The content of the structure unit with an oxiranyl group is 30 mol% or less. It is desirable that the radiation-sensitive acid generator is nonionic. (과제) 낮은 유전율을 갖고, 표면 경도 및 전압 보전율이 높은 경화막을 얻을 수 있고, 감도도 양호한 감방사선성 수지 조성물, 이 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막 및 그의 형성 방법 그리고 상기 경화막을 구비하는 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. (해결 수단) 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에, 옥세타닐기를 갖는 구조 단위 및 옥시라닐기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 성분, 그리고 pKa가 4.0 이하의 산을 발생하는 감방사선성 산 발생체를 함유하고, 상기 중합체 성분의 전체 구조 단위에 대한 옥세타닐기를 갖는 구조 단위의 함유율이 50몰% 이상이고, 옥시라닐기를 갖는 구조 단위의 함유율이 30몰% 이하인 감방사선성 수지 조성물이다. 상기 감방사선성 산 발생체가 비이온성인 것이 바람직하다.
Bibliography:Application Number: KR20170027012