LATERAL PLASMA/RADICAL SOURCE

• Main Authors: SUBRAMANI ANANTHA K, CHOWDHURY ABHISHEK, NUNTAWORANUCH NATTAWORN, GANGAKHEDKAR KAUSHAL, KRAUS PHILIP A, HOUSHMAND FARZAD, FORSTER JOHN C, BERA KALLOL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.09.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

Plasma sources which minimize contamination of a substrate due to a sputtered material while maintaining uniform plasma density are necessary. Plasma source assemblies comprising a housing with an RF hot electrode and a return electrode are described. The housing includes a gas inlet and a front face defining a flow path. The RF hot electrode includes a first surface aligned substantially parallel to the flow path. The return electrode includes a first surface aligned substantially parallel to the flow path and separated from the first surface of the RF hot electrode to form a gap. Processing chambers having the plasma source assemblies and methods of using the plasma source assemblies are also described. RF 핫 전극(hot electrode) 및 리턴 전극(return electrode)을 갖는 하우징을 포함하는 플라즈마 소스 어셈블리들이 설명된다. 하우징은, 유동 경로를 정의하는, 가스 유입구 및 전방 면(front face)을 포함한다. RF 핫 전극은, 유동 경로에 대해 실질적으로 평행하게 배향되는 제 1 표면을 포함한다. 리턴 전극은, 유동 경로에 대해 실질적으로 평행하게 배향되고 그리고 갭을 형성하기 위해 RF 핫 전극의 제 1 표면으로부터 이격되는 제 1 표면을 포함한다. 플라즈마 소스 어셈블리들을 포함하는 프로세싱 챔버들 및 플라즈마 소스 어셈블리들을 사용하는 방법들이 또한 설명된다.