A SELF-ALIGNED DUAL TRENCH DEVICE

전력 MOSFET 또는 전력 정류기는 본 발명에 따라 게이트 트렌치 및 필드 플레이트 트렌치를 포함하도록 제조될 수 있다. 두 트렌치들 모두는 명세서에서 상세히 서술되는 두 단계 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 본 발명을 구현하는 소자들은 더 높은 패키지 밀도, 그리고 더 양호하고 더 엄격하게 분포된 V, R및 BV와 같은 소자 매개 변수들로 제조될 수 있다. A power MOSFET or a power rectifier may be fabricated according to the invention to include a g...

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Main Authors KU YUN PU, CHUANG CHIAO SHUN, HUANG CHENG CHIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 19.09.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:전력 MOSFET 또는 전력 정류기는 본 발명에 따라 게이트 트렌치 및 필드 플레이트 트렌치를 포함하도록 제조될 수 있다. 두 트렌치들 모두는 명세서에서 상세히 서술되는 두 단계 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 본 발명을 구현하는 소자들은 더 높은 패키지 밀도, 그리고 더 양호하고 더 엄격하게 분포된 V, R및 BV와 같은 소자 매개 변수들로 제조될 수 있다. A power MOSFET or a power rectifier may be fabricated according to the invention to include a gate trench and a field piate trench. Both trenches can be formed with a two-step etching process as described in detail in the specification. The devices that embody this invention can be fabricated with higher packaging density and better and more tightly distributed device parameters such as the WF, RDSS, and BV.
Bibliography:Application Number: KR20177012900