Integrated circuit device and method of manufacturing the same

• Main Authors: UM, MYUNG YOON, YOU, JUNG GUN, CHA, DONG HO, PARK, GI GWAN, CHUNG, JAE YUP
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.09.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An integrated circuit device includes a pair of fin type active regions extending in a straight line and an insulating structure for pin separation formed in a separation region. The pair of fin type active regions includes a first fin type active region having a first chamfered corner defining a portion of the pin separation region. The insulating structure for pin separation includes a lower insulating pattern covering a sidewall of each of the pair of fin type active regions, and an upper insulating pattern covering at least a portion of the first chamfered corner on the lower insulating pattern and having the upper surface of the higher level than the upper surface of each of the pair of the fin type active regions. Accordingly, the performance of a fin field effect transistor can be improved by preventing a short circuit between the adjacent conductive regions. 집적회로 소자는 일직선 상에서 연장되는 한 쌍의 핀형 활성 영역과, 분리 영역에 형성된 핀 분리용 절연 구조물을 포함한다. 한 쌍의 핀형 활성 영역은 핀 분리 영역의 일부를 한정하는 제1 챔퍼 코너를 가지는 제1 핀형 활성 영역을 포함한다. 핀 분리용 절연 구조물은 한 쌍의 핀형 활성 영역 각각의 측벽을 덮는 하부 절연 패턴과, 하부 절연 패턴 위에서 제1 챔퍼 코너의 적어도 일부를 덮고 한 쌍의 핀형 활성 영역 각각의 상면보다 높은 레벨의 상면을 가지는 상부 절연 패턴을 포함한다.