파장 변환 발광 디바이스

본 발명의 실시예들에 따른 방법에서, 발광 다이오드에 의해 생성되어 호스트 재료 및 도펀트를 포함하는 형광체를 포함하는 형광체 층에 의해 변환되는 미리 결정된 양의 광에 대해, 그리고 증가하는 여기 밀도에서의 형광체의 효율의 미리 결정된 최대 감소(즉, 최대 허용된 감쇠)에 대해, 형광체 층의 최대 도펀트 농도가 선택된다. In a method according to embodiments of the invention, for a predetermined amount of light produced by a light emittin...

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Main Authors SCHMIDT PETER JOSEF, MUELLER GERD, BECHTEL HANS HELMUT, CHAMBERLIN DANIELLE RUSSEL, SHCHEKIN OLEG BORISOVICH, MUELLER MACH REGINA
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.09.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명의 실시예들에 따른 방법에서, 발광 다이오드에 의해 생성되어 호스트 재료 및 도펀트를 포함하는 형광체를 포함하는 형광체 층에 의해 변환되는 미리 결정된 양의 광에 대해, 그리고 증가하는 여기 밀도에서의 형광체의 효율의 미리 결정된 최대 감소(즉, 최대 허용된 감쇠)에 대해, 형광체 층의 최대 도펀트 농도가 선택된다. In a method according to embodiments of the invention, for a predetermined amount of light produced by a light emitting diode and converted by a phosphor layer comprising a host material and a dopant, and for a predetermined maximum reduction in efficiency of the phosphor at increasing excitation density, a maximum dopant concentration of the phosphor layer is selected.
Bibliography:Application Number: KR20177021933