NOVEL METHOD FOR CREATING ALTERNATE HARDMASK CAP INTERCONNECT STRUCTURE WITH INCREASED OVERLAY MARGIN

• Main Authors: CHANDHOK MANISH, HOURANI RAMI, SCHENKER RICHARD E, CHAWLA JASMEET S, YOUNKIN TODD R, HAN EUNGNAK, LIN KEVIN, GSTREIN FLORIAN, BRISTOL ROBERT L
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.09.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 실시예들은 인터커넥트 구조체 및 이러한 구조체를 형성하는 방법을 포함한다. 한 실시예에서, 인터커넥트 구조체는, 제1 하드마스크 층을 갖는 층간 유전체(ILD)를 포함할 수 있고, 제1 하드마스크 층은 ILD의 상부면 위에 있다. 소정의 실시예들은, ILD 내의 하나 이상의 제1 인터커넥트 라인들과 제1 인터커넥트 라인들 각각의 위에 배치된 제1 유전체 캡을 포함한다. 예를 들어, 제1 유전체 캡의 표면은 제1 하드마스크 층의 상부면과 접촉할 수 있다. 실시예들은 또한, 제1 인터커넥트 라인들과 교대하는 패턴으로 배열된 하나 이상의 제2 인터커넥트 라인들을 ILD 내에 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 제2 유전체 캡은 제2 인터커넥트 라인들 각각의 상부면 위에 형성된다. 예를 들어, 제2 유전체 캡의 표면은 제1 하드마스크 층의 상부면과 접촉한다. Embodiments of the invention include an interconnect structure and methods of forming such structures. In an embodiment, the interconnect structure may include an interlayer dielectric (ILD) with a first hardmask layer over a top surface of the ILD. Certain embodiments include one or more first interconnect lines in the ILD and a first dielectric cap positioned above each of the first interconnect lines. For example a surface of the first dielectric cap may contact a top surface of the first hardmask layer. Embodiments may also include one or more second interconnect lines in the ILD arranged in an alternating pattern with the first inter-connect lines. In an embodiment, a second dielectric cap is formed over a top surface of each of the second interconnect lines. For example, a surface of the second dielectric cap contacts a top surface of the first hardmask layer.