OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
인듐 (In), 갈륨 (Ga), 아연 (Zn), 산소 (O) 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체로서, 항절 강도가 50 ㎫ 이상, 벌크 저항이 100 mΩ㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 IGZO 소결체. DC 스퍼터링에 의한 성막시에 타깃 갈라짐이나 파티클 발생을 저감시켜, 양호한 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다. An IGZO sintered compact composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O) and unavoidab...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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14.08.2017
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Summary: | 인듐 (In), 갈륨 (Ga), 아연 (Zn), 산소 (O) 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체로서, 항절 강도가 50 ㎫ 이상, 벌크 저항이 100 mΩ㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 IGZO 소결체. DC 스퍼터링에 의한 성막시에 타깃 갈라짐이나 파티클 발생을 저감시켜, 양호한 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
An IGZO sintered compact composed of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O) and unavoidable impurities, wherein the IGZO sintered compact has a flexural strength of 50 MPa or more, and a bulk resistance of 100 mΩcm or less. Provided is a sputtering target capable of suppressing the target cracks and reducing the generation of particles during deposition via DC sputtering, and forming favorable thin films. |
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Bibliography: | Application Number: KR20177019045 |