METHODS AND SYSTEMS TO ENHANCE PROCESS UNIFORMITY

반도체 처리 챔버는 원격 플라즈마 영역, 및 원격 플라즈마 영역과 유체 결합된 처리 영역을 포함할 수 있다. 처리 영역은 기판을 지지 페디스털 상에 하우징하도록 구성될 수 있다. 지지 페디스털은 페디스털의 내부 영역에서 제1 재료를 포함할 수 있다. 지지 페디스털은 페디스털의 외부 영역에서 또는 페디스털의 말단 부분과 결합된 환형 부재를 또한 포함할 수 있다. 환형 부재는 제1 재료와는 다른 제2 재료를 포함할 수 있다. A semiconductor processing chamber may include a remote plasma...

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Main Authors SINGH SARAVJEET, ZHANG HANSHEN, TSO ALAN, LUBOMIRSKY DMITRY, LI ZIHUI, ZHANG JINGCHUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 01.08.2017
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Summary:반도체 처리 챔버는 원격 플라즈마 영역, 및 원격 플라즈마 영역과 유체 결합된 처리 영역을 포함할 수 있다. 처리 영역은 기판을 지지 페디스털 상에 하우징하도록 구성될 수 있다. 지지 페디스털은 페디스털의 내부 영역에서 제1 재료를 포함할 수 있다. 지지 페디스털은 페디스털의 외부 영역에서 또는 페디스털의 말단 부분과 결합된 환형 부재를 또한 포함할 수 있다. 환형 부재는 제1 재료와는 다른 제2 재료를 포함할 수 있다. A semiconductor processing chamber may include a remote plasma region, and a processing region fluidly coupled with the remote plasma region. The processing region may be configured to house a substrate on a support pedestal. The support pedestal may include a first material at an interior region of the pedestal. The support pedestal may also include an annular member coupled with a distal portion of the pedestal or at an exterior region of the pedestal. The annular member may include a second material different from the first material.
Bibliography:Application Number: KR20177017181