METHOD FOR FORMING SEALING FILM AND SEALING FILM

• Main Authors: FUJIMOTO TAKAYOSHI, MORI MASAKI, YAMASHITA MASAMICHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.07.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

높은 배리어성을 갖는 밀봉막을 안정되게 형성할 수 있는 밀봉막의 형성 방법을 제공한다. 구체적으로는, 기재(2) 상에 버퍼층(M1)과 버퍼층(M1)보다 밀도가 높은 배리어층(M2)을 교대로 성막하여 밀봉막을 형성하는 밀봉막의 형성 방법이며, 기재(2)의 표면에 제1 버퍼층(M1a)을 성막시키는 제1 버퍼층 성막 공정과, 제1 버퍼층(M1)의 표면에 배리어층(M2)을 성막시키는 제1 배리어층 성막 공정과, 제1 배리어층 형성 공정에서 성막시킨 배리어층(M2)의 표면에 제2 버퍼층(M1b)을 성막시키는 제2 버퍼층 성막 공정을 갖고, 제1 버퍼층(M1a)에 있어서의 기재(2)의 두께 방향으로 성막된 부분의 막 두께에 대한 당해 두께 방향에 대해 경사진 방향으로 성막된 부분의 막 두께의 비율은, 제2 버퍼층(M1b)에 있어서의 상기 두께 방향으로 성막된 부분의 막 두께에 대한 상기 두께 방향에 대해 경사진 방향으로 성막된 부분의 막 두께의 비율보다 1에 가깝다. A method for forming a sealing film, in which a buffer layer and a barrier layer whose density is higher than that of the buffer layer are alternately formed on a substrate, includes forming a first buffer layer on a surface of the substrate, forming a first barrier layer on a surface of the first buffer layer, and forming a second buffer layer on a surface of the first barrier layer. A ratio of a thickness of a portion of the first buffer layer in a thickness direction of the substrate relative to a thickness of a portion of the first buffer layer in an inclined direction that is inclined with respect to the thickness direction is closer to 1 than a ratio of a thickness of a portion of the second buffer layer in the thickness direction relative to a thickness of a portion of the second buffer layer in the inclined direction.