NANOSTRUCTURE MATERIAL STRUCTURES AND METHODS

일 측면에서, 하나 이상의 발광 나노구조 재료를 내부에 포함하는 유전층을 포함하는 광자 결정을 포함하는 구조물이 제공된다. 추가 측면에서, 유전층 내부의 상이한 깊이에서 발광 나노구조 재료의 제1 및 제2 세트를 포함하는 유전층을 포함하는 구조물이 제공된다. In one aspect, structures (10) are provided that comprise a photonic crystal comprising a dielectric layer (14) comprising therein one or more light-emitti...

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Main Authors BRIAN CUNNINGHAM, KISHORI DESHPANDE, GLORIA G. SEE, KEVIN HOWARD, PETER TREFONAS III, JONG K. PARK, JIEQIAN ZHANG, EWERS TREVOR
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 10.07.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:일 측면에서, 하나 이상의 발광 나노구조 재료를 내부에 포함하는 유전층을 포함하는 광자 결정을 포함하는 구조물이 제공된다. 추가 측면에서, 유전층 내부의 상이한 깊이에서 발광 나노구조 재료의 제1 및 제2 세트를 포함하는 유전층을 포함하는 구조물이 제공된다. In one aspect, structures (10) are provided that comprise a photonic crystal comprising a dielectric layer (14) comprising therein one or more light-emitting nanostructure materials(16). In a further aspect, structures (10) are provided that comprise a dielectric layer (14) comprising first (16a) and second (16b) sets of light-emitting nanostructure materials (16a, b) at differing depths within the dielectric layer (14).
Bibliography:Application Number: KR20160181512