SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD

실시예에서, 방법은 에지 영역으로부터 적어도 하나의 III족 원소를 포함하는 재료를 제거하기 위해 상부 표면을 갖는 기판, 및 기판의 상부 표면 상에 배치되는 하나 이상의 에피택셜 III족 질화물층을 포함하는 웨이퍼의 에지 영역을 처리하는 단계를 포함한다. In an embodiment, a method includes treating an edge region of a wafer including a substrate having an upper surface and one or more epitaxial Group III nit...

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Main Authors OSTERMAIER CLEMENS, HAEBERLEN OLIVER, PRECHTL GERHARD
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 04.07.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:실시예에서, 방법은 에지 영역으로부터 적어도 하나의 III족 원소를 포함하는 재료를 제거하기 위해 상부 표면을 갖는 기판, 및 기판의 상부 표면 상에 배치되는 하나 이상의 에피택셜 III족 질화물층을 포함하는 웨이퍼의 에지 영역을 처리하는 단계를 포함한다. In an embodiment, a method includes treating an edge region of a wafer including a substrate having an upper surface and one or more epitaxial Group III nitride layers arranged on the upper surface of the substrate, so as to remove material including at least one Group III element from the edge region.
Bibliography:Application Number: KR20160177919