COMPOUND FOR FORMING ORGANIC FILM COMPOSITION FOR FORMING ORGANIC FILM METHOD FOR FORMING ORGANIC FILM AND PATTERNING PROCESS
[과제] 양호한 드라이 에칭 내성을 가짐과 동시에, 400℃ 이상의 내열성 및 고도의 매립/평탄화 특성을 더불어 갖는 유기막 형성용 조성물을 부여하는 유기막 형성용 화합물을 제공한다. [해결수단] 하기 일반식(1A)으로 표시되는 유기막 형성용 화합물.(식에서, R은 단결합 또는 탄소수 1~50의 유기기이고, X는 하기 일반식(1B)으로 표시되는 기이고, m1은 2≤m1≤10을 만족하는 정수이다.)(식에서, X는 탄소수 1~10의 2가 유기기이고, n1은 0 또는 1이고, n2는 1 또는 2이고, X은 하기 일반식(1C)으로 표시되는...
Saved in:
Main Authors | , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
04.07.2017
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | [과제] 양호한 드라이 에칭 내성을 가짐과 동시에, 400℃ 이상의 내열성 및 고도의 매립/평탄화 특성을 더불어 갖는 유기막 형성용 조성물을 부여하는 유기막 형성용 화합물을 제공한다. [해결수단] 하기 일반식(1A)으로 표시되는 유기막 형성용 화합물.(식에서, R은 단결합 또는 탄소수 1~50의 유기기이고, X는 하기 일반식(1B)으로 표시되는 기이고, m1은 2≤m1≤10을 만족하는 정수이다.)(식에서, X는 탄소수 1~10의 2가 유기기이고, n1은 0 또는 1이고, n2는 1 또는 2이고, X은 하기 일반식(1C)으로 표시되는 기이고, n5는 0, 1 또는 2이다.)(식에서, R은 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 포화 혹은 불포화의 탄화수소기이고, 식 중의 벤젠환 상의 수소 원자는 메틸기 또는 메톡시기로 치환되어 있어도 좋다.)
wherein R10 represents a hydrogen atom or a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, wherein a hydrogen atom of the benzene ring in formula (1C) may be substituted with a methyl group or methoxy group. This compound for forming an organic film can provide organic film composition having good dry etching resistance, heat resistance to 400° C. or higher, high filling and planarizing properties. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR20160175381 |