Tantalum compound and methods of forming thin film and integrated circuit device
다음 일반식 (I)의 탄탈럼 화합물과, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다.일반식 (I)에서, R, R, 및 R는 각각 독립적으로 C1-C10의 직쇄 또는 분기형 알킬(alkyl), 알케닐(alkenyl), 알키닐(alkynyl), 또는 C4-C20의 치환 또는 비치환된 방향족(aromatic) 또는 지환식 (alicyclic) 탄화수소기이고, R는 수소 원자, C1-C10의 직쇄 또는 분기형 알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 C6-C20의 치환 또는 비치환된 방향족(aromatic) 또는 지환식 (a...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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29.06.2017
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Summary: | 다음 일반식 (I)의 탄탈럼 화합물과, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다.일반식 (I)에서, R, R, 및 R는 각각 독립적으로 C1-C10의 직쇄 또는 분기형 알킬(alkyl), 알케닐(alkenyl), 알키닐(alkynyl), 또는 C4-C20의 치환 또는 비치환된 방향족(aromatic) 또는 지환식 (alicyclic) 탄화수소기이고, R는 수소 원자, C1-C10의 직쇄 또는 분기형 알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 C6-C20의 치환 또는 비치환된 방향족(aromatic) 또는 지환식 (alicyclic) 탄화수소기이다.
A tantalum compound, a method of forming a thin film using the same, and a method of fabricating an integrated circuit device using the same, the tantalum compound being represented by the following General Formula (I):. |
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Bibliography: | Application Number: KR20150182788 |