Semiconductor Devices

반도체 장치는 기판; 기판 상에 배치되며, 개구부들을 갖는 제1 층간 절연막; 상기 개구부들 내에 제공되는 도전 패턴들; 상기 기판의 상기 제1 영역의 상기 도전 패턴들 상에 적층된 제1 내지 제4 절연 패턴들; 및 상기 제4 절연 패턴 상의 제2 층간 절연막을 포함할 수 있다. A semiconductor device may include a substrate, a first interlayered insulating layer on the substrate having openings, conductive patterns pro...

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Main Authors YOU, WOO KYUNG, NGUYEN VIETHA, AHN SANGHOON, KIM, BYUNG HEE, OSZINDA THOMAS, LEE, NAE IN, BAEK, JONG MIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.06.2017
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Summary:반도체 장치는 기판; 기판 상에 배치되며, 개구부들을 갖는 제1 층간 절연막; 상기 개구부들 내에 제공되는 도전 패턴들; 상기 기판의 상기 제1 영역의 상기 도전 패턴들 상에 적층된 제1 내지 제4 절연 패턴들; 및 상기 제4 절연 패턴 상의 제2 층간 절연막을 포함할 수 있다. A semiconductor device may include a substrate, a first interlayered insulating layer on the substrate having openings, conductive patterns provided in the openings, first to fourth insulating patterns stacked on the substrate provided with the conductive patterns, and a second interlayered insulating layer provided on the fourth insulating pattern.
Bibliography:Application Number: KR20150180217