Semiconductor Devices
반도체 장치는 기판; 기판 상에 배치되며, 개구부들을 갖는 제1 층간 절연막; 상기 개구부들 내에 제공되는 도전 패턴들; 상기 기판의 상기 제1 영역의 상기 도전 패턴들 상에 적층된 제1 내지 제4 절연 패턴들; 및 상기 제4 절연 패턴 상의 제2 층간 절연막을 포함할 수 있다. A semiconductor device may include a substrate, a first interlayered insulating layer on the substrate having openings, conductive patterns pro...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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27.06.2017
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Summary: | 반도체 장치는 기판; 기판 상에 배치되며, 개구부들을 갖는 제1 층간 절연막; 상기 개구부들 내에 제공되는 도전 패턴들; 상기 기판의 상기 제1 영역의 상기 도전 패턴들 상에 적층된 제1 내지 제4 절연 패턴들; 및 상기 제4 절연 패턴 상의 제2 층간 절연막을 포함할 수 있다.
A semiconductor device may include a substrate, a first interlayered insulating layer on the substrate having openings, conductive patterns provided in the openings, first to fourth insulating patterns stacked on the substrate provided with the conductive patterns, and a second interlayered insulating layer provided on the fourth insulating pattern. |
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Bibliography: | Application Number: KR20150180217 |