EUV EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND OPERATING METHOD

• Main Authors: LOGTENBERG HELLA, OSORIO EDGAR, EHM DIRK HEINRICH, SCHMIDT STEFAN WOLFGANG, ZELLENRATH MARK, TE SLIGTE EDWIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.06.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 EUV 리소그래피 시스템(1)의 진공 환경(17) 내에 배열된 광학면(13a, 14a)을 갖는 적어도 하나의 광학 요소(13, 14), 및 적어도 하나의 실리콘 함유면(29a)이 배열되어 있는 진공 환경(17) 내로 수소를 공급하기 위한 공급 디바이스(27)를 포함하는 EUV 리소그래피 시스템(1)에 관한 것이다. 공급 디바이스(27)는 진공 환경(17) 내로 산소 함유 가스를 또한 공급하기 위해 설계되고, 적어도 하나의 실리콘 함유면(29a)에서 그리고/또는 광학면(13a, 14a)에서 산소 부분 압력(PO2)을 설정하기 위한 계량 디바이스(28)를 갖는다. An EUV lithography system (1) includes: at least one optical element (13, 14) having an optical surface (13a, 14a) arranged in a vacuum environment (17) of the EUV lithography system (1), and a feed device (27) for feeding hydrogen into the vacuum environment (17), in which at least one silicon-containing surface (29a) is arranged. The feed device (27) additionally feeds an oxygen-containing gas into the vacuum environment (17) and has a metering device (28) that sets an oxygen partial pressure (pO2) at the at least one silicon-containing surface (29a) and/or at the optical surface (13a, 14a).