Core for reverse reflow semiconductor package and method of fabricating a semiconductor package

• Main Authors: MOON, JEONG TAK, SON, JAE YEOL, YOO, CHAN GOO, RYU, SU YONG, SONG, JAE HUN, LEE, YOUNG WOO, KIM, EUNG JAE, KIM, HUI JOONG, CHA, HO GUN, MAENG, IK JOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 리버스 리플로우용 심재, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 범프 패드를 갖는 반도체 장치; 및 상기 범프 패드에 결합된 범프부를 갖는 반도체 패키지를 제공한다. 이 때, 상기 범프부는, 코어; 상기 코어 위에 코팅된 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 위에 코팅된 제 2 금속층; 및 상기 제 2 금속층 위에 코팅된 솔더층을 포함하고, 상기 솔더층의 두께는 상기 범프 패드로부터 멀어질수록 얇아질 수 있다. 본 발명의 리버스 리플로우용 심재, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법을 이용하면, 접합 강도가 우수한 반도체 패키지를 높은 정밀도로 제조할 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a core for reverse reflow, a semiconductor package, and a method of manufacturing the semiconductor package. More specifically, the present invention provides a semiconductor device having a bump pad; and a semiconductor package having a bump portion coupled with the bump pad. In the meantime, the bump portion includes: a core; a first metal layer which is applied on the core to coat the core; a second metal layer which is applied on the first metal layer to coat the first metal layer; and a solder layer which is applied on the second metal layer to coat the second metal layer. A thickness of the solder layer can be decreased more and more when it gets farther from the bump pad. By using the core for reverse reflow, the semiconductor package, and the method of manufacturing the semiconductor package according to the present invention, it is possible to manufacture the semiconductor package with a high bonding strength at high accuracy.