SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 기술은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 반도체 메모리 장치는 다수의 비트라인들에 연결된 다수의 메모리 스트링들을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 상기 다수의 비트라인들과 평행하게 배치된 적어도 두 개 이상의 글로벌 워드라인들, 및 상기 다수의 글로벌 워드라인들과 상기 다수의 메모리 스트링들의 워드라인들을 연결하기 위한 다수의 패스부를 포함한다....

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Bibliographic Details
Main Author YANG, CHANG WON
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 19.06.2017
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:본 기술은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 반도체 메모리 장치는 다수의 비트라인들에 연결된 다수의 메모리 스트링들을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 상기 다수의 비트라인들과 평행하게 배치된 적어도 두 개 이상의 글로벌 워드라인들, 및 상기 다수의 글로벌 워드라인들과 상기 다수의 메모리 스트링들의 워드라인들을 연결하기 위한 다수의 패스부를 포함한다.
Bibliography:Application Number: KR20150175046