SEMICONDUCTOR DEVICE

반도체 디바이스(100)는 하부 측면(111)과 상부 측면(112) 사이에서, 수직 방향으로 연장하는 적어도 제1 트렌치(120)와 제2 트렌치(121), 및 제1 트렌치(120)와 제2 트렌치(121) 사이에 배치되는 컨택트 그루브(130)를 포함한다. 컨택트 그루브(130)는 수직 방향(10)에 수직인 평면에서 세로 연장부를 갖는다. 컨택트 그루브(130)의 세로 연장부는 적어도 부분적으로 물결 모양을 갖는다. A semiconductor device includes a semiconductor substrate includin...

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Main Authors KONRAD SABINE, BLANK OLIVER, HOJA MARION, SIEMIENIEC RALF, KADOW CHRISTOPH, OUVRARD CEDRIC
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.06.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:반도체 디바이스(100)는 하부 측면(111)과 상부 측면(112) 사이에서, 수직 방향으로 연장하는 적어도 제1 트렌치(120)와 제2 트렌치(121), 및 제1 트렌치(120)와 제2 트렌치(121) 사이에 배치되는 컨택트 그루브(130)를 포함한다. 컨택트 그루브(130)는 수직 방향(10)에 수직인 평면에서 세로 연장부를 갖는다. 컨택트 그루브(130)의 세로 연장부는 적어도 부분적으로 물결 모양을 갖는다. A semiconductor device includes a semiconductor substrate including, between a bottom side and a top side, a first trench and a second trench extending in a vertical direction, and a contact groove arranged between the first trench and the second trench. The contact groove has a longitudinal extension in a plane perpendicular to the vertical direction. The longitudinal extension of the contact groove at least partially has a wave-shape.
Bibliography:Application Number: KR20160157579