Semiconductor device

본 발명의 실시예에 따라 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 셀 영역과 주변회로 영역을 포함하는 기판, 상기 주변회로 영역에 배치된 디커플링 케패시터, 상기 디커플링 케패시터와 수직적으로 중첩되는 제 1 연결 패드, 상기 제 1 연결 패드의 일부를 노출하는 보호층 및 상기 제 1 연결 패드 상에 배치되고, 상기 보호층의 상면의 일부를 덮는 제 1 솔더 범프를 포함한다. A semiconductor device comprising: a substrate; a decoupling capacitor disposed on the sub...

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Main Authors CHUNG, HYUN SOO, LEE, CHAN HO, PARK, MYEONG SOON
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.06.2017
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Summary:본 발명의 실시예에 따라 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 셀 영역과 주변회로 영역을 포함하는 기판, 상기 주변회로 영역에 배치된 디커플링 케패시터, 상기 디커플링 케패시터와 수직적으로 중첩되는 제 1 연결 패드, 상기 제 1 연결 패드의 일부를 노출하는 보호층 및 상기 제 1 연결 패드 상에 배치되고, 상기 보호층의 상면의 일부를 덮는 제 1 솔더 범프를 포함한다. A semiconductor device comprising: a substrate; a decoupling capacitor disposed on the substrate; a first connection pad vertically overlapping with the decoupling capacitor; a passivation layer exposing a portion of the first connection pad; and a first solder bump disposed on the first connection pad and covering a portion of a top surface of the passivation layer.
Bibliography:Application Number: KR20150171647