ELECTRONIC DEVICE

본 기술은 반도체 메모리를 포함하는 전자장치를 제공한다. 반도체 메모리는 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층; 상기 하부층 상에 형성되어 변경 가능한 자화 방향을 갖는 제1자성층; 상기 제1자성층 상에 위치하는 터널베리어층; 및 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함할 수 있다. This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an impl...

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Main Authors KIM, GUK CHEON, CHOI, WON JOON, JUNG, KU YOUL, KIM, YANG KON, KIM, JEONG MYEONG, LIM, JONG KOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 09.06.2017
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Summary:본 기술은 반도체 메모리를 포함하는 전자장치를 제공한다. 반도체 메모리는 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층; 상기 하부층 상에 형성되어 변경 가능한 자화 방향을 갖는 제1자성층; 상기 제1자성층 상에 위치하는 터널베리어층; 및 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함할 수 있다. This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an implementation of this document may include a semiconductor memory, and the semiconductor memory may include: an under layer including a plurality of material layers having a different crystal structures; a first magnetic layer formed over the under layer and having a variable magnetization direction; a tunnel barrier layer formed over the first magnetic layer; and a second magnetic layer formed over the tunnel barrier layer and having a pinned magnetization direction.
Bibliography:Application Number: KR20150168318