ELECTRONIC DEVICE

본 기술은 반도체 메모리를 포함하는 전자장치를 제공한다. 반도체 메모리는 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층; 상기 하부층 상에 형성되어 변경 가능한 자화 방향을 갖는 제1자성층; 상기 제1자성층 상에 위치하는 터널베리어층; 및 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함할 수 있다. This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an impl...

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Main Authors KIM, GUK CHEON, CHOI, WON JOON, JUNG, KU YOUL, KIM, YANG KON, KIM, JEONG MYEONG, LIM, JONG KOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 09.06.2017
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
ELECTRICITY
PHYSICS
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Summary:본 기술은 반도체 메모리를 포함하는 전자장치를 제공한다. 반도체 메모리는 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층; 상기 하부층 상에 형성되어 변경 가능한 자화 방향을 갖는 제1자성층; 상기 제1자성층 상에 위치하는 터널베리어층; 및 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함할 수 있다. This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an implementation of this document may include a semiconductor memory, and the semiconductor memory may include: an under layer including a plurality of material layers having a different crystal structures; a first magnetic layer formed over the under layer and having a variable magnetization direction; a tunnel barrier layer formed over the first magnetic layer; and a second magnetic layer formed over the tunnel barrier layer and having a pinned magnetization direction.
Bibliography:Application Number: KR20150168318