STTM AMORPHOUS SEED LAYER FOR IMPROVED STABILITY IN PERPENDICULAR STTM STACK

• Main Authors: OGUZ KAAN, SURI SATYARTH, DOCZY MARK L, KUO CHARLES C, CHAU ROBERT S, DOYLE BRIAN S
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.06.2017
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

자기 터널 접합을 위한 재료 층 스택으로서, 재료 층 스택은 고정 자성 층, 유전체 층, 자유 자성 층, 및 비정질 전기적 도전성 시드 층을 포함하며, 고정 자성 층은 유전체 층과 시드 층 사이에 배치된다. 비-휘발성 메모리 디바이스는 비정질 전기적 도전성 시드 층을 포함하는 재료 스택; 및 상기 시드 층과 병치되고 접촉하는 고정 자성 층을 포함한다. 방법은, 비정질 시드 층을 메모리 디바이스의 제1 전극 상에 형성하는 단계; 재료 층 스택을 비정질 시드 층 상에 형성하는 단계를 포함하고, 재료 스택은 고정 자성 층과 자유 자성 층 사이에 배치된 유전체 층, 여기에서 고정 자성 층을 포함한다. A material layer stack for a magnetic tunneling junction, the material layer stack including a fixed magnetic layer; a dielectric layer; a free magnetic layer; and an amorphous electrically-conductive seed layer, wherein the fixed magnetic layer is disposed between the dielectric layer and the seed layer. A non-volatile memory device including a material stack including an amorphous electrically-conductive seed layer; and a fixed magnetic layer juxtaposed and in contact with the seed layer. A method including forming an amorphous seed layer on a first electrode of a memory device; forming a material layer stack on the amorphous seed layer, the material stack including a dielectric layer disposed between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, wherein the fixed magnetic layer.