SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: LEUNG YING KEUNG, CHING KUO CHENG, FUNG KA HING
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 소자가, 기판 위에 배치되는 제1 채널 층들, 기판 위에 배치되는 제1 소스/드레인 영역, 각각의 제1 채널 층 상에 배치되며 그리고 각각의 제1 채널 층을 둘러싸는 게이트 유전체 층, 게이트 유전체 층 상에 배치되며 그리고 각각의 제1 채널 층을 둘러싸는 게이트 전극 층, 및 제1 채널 층들과 제1 소스/드레인 영역 사이에 배치되는 라이너 반도체 층을 포함한다. A semiconductor device includes first channel layers disposed over a substrate, a first source/drain region disposed over the substrate, a gate dielectric layer disposed on and wrapping each of the first channel layers, a gate electrode layer disposed on the gate dielectric layer and wrapping each of the first channel layers, and a liner semiconductor layer disposed between the first channel layers and the first source/drain region.