Method for manufacturing semiconductor device

• Main Authors: OH, IN WOOK, LEE, HYUN JAE, YANG, JAE SEOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치의 제조 방법은 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 메인 영역들, 및 상기 제1 및 제2 메인 영역들 주변의 더미 영역을 포함하는 기판을 제공하되, 상기 더미 영역은 상기 제1 및 제2 메인 영역들 사이의 더미 연결 영역, 및 상기 더미 연결 영역을 사이에 두고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 더미 셀 영역들을 포함하는 것; 및 상기 더미 영역 상에 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 서로 이격하는 더미 활성 패턴들을 형성하되, 상기 더미 활성 패턴들은 상기 제1 더미 셀 영역 상의 제1 더미 활성 패턴들, 상기 제2 더미 셀 영역 상의 제2 더미 활성 패턴들, 및 상기 더미 연결 영역 상의 연결 더미 패턴들을 포함하고, 상기 연결 더미 활성 패턴들은 상기 제1 더미 활성 패턴들 중 일부와 상기 제2 더미 활성 패턴들 중 일부를 연결하는 것을 포함할 수 있다. A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate that includes first and second main regions and a dummy region, and forming dummy active patterns on the dummy region. The first and second main regions are spaced apart from each other in a first direction and the dummy region includes a dummy connection region between the first and second main regions and first and second dummy cell regions spaced apart from each other in a second direction. First dummy active patterns, second dummy active patterns, and connection dummy active patterns connecting some of the first dummy active patterns to some of the second dummy active patterns are provided on the first and second dummy cell regions and the dummy connection region, respectively.