IMPRINTING METHOD IMPRINTING APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: HIURA MITSURU, SATO HIROSHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.06.2017
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MATERIALS THEREFOR; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; ORIGINALS THEREFOR; PERFORMING OPERATIONS; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR; SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING; WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL

본 발명의 임프린트 방법은, 그 상에 형성되는 기판 상의 마크를 포함하는 패턴을 갖는 기판 상에 임프린트 재료를 공급하는 단계, 임프린트 재료와 몰드 상의 마크를 포함하는 패턴을 갖는 몰드를 접촉시키는 단계, 몰드가 그와 접촉된 상태에서 임프린트 재료를 경화시키는 단계 그리고 임프린트 재료 상에 마크를 포함하는 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 임프린트 재료 상의 마크의 상 그리고 기판 상의 마크의 상을 형성하도록 구성되는 광학 시스템을 사용하여, 몰드 상의 마크가 광학 시스템의 초점 심도로부터 벗어나 위치될 때까지 기판과 몰드 사이의 공간이 증가된 후에 임프린트 재료 상의 마크 그리고 기판 상의 마크를 검출하고, 그에 의해 기판 상의 패턴 그리고 임프린트 재료 상의 패턴 사이의 상대 위치 편차를 얻는 것을 특징으로 한다. An imprinting method of this disclosure includes supplying an imprint material on a substrate having a pattern including a mark on the substrate formed thereon; bringing a mold having a pattern including a mark on the mold into contact with the imprint material; curing the imprint material in a state in which the mold is in contact therewith; and forming a pattern including the mark on the imprint material, and characterized in that an optical system configured to form an image of the mark on the imprint material and an image of the mark on the substrate are used to detect the mark on the imprint material and the mark on the substrate after the space between the substrate and the mold has been increased until the mark on the mold is positioned out of a focal depth of the optical system, thereby obtaining a relative positional deviation between the pattern on the substrate and the pattern on the imprint material.