Method of Manufacturing Semiconductor Integrated Circuit Device Having Contact Hole with uniform diameter

• Main Authors: LEE, MAN SU, CHOI, YOUNG CHUL, JO, JAE PIL, PARK, DAE HONG, KWON, YOUNG SOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

균일한 직경을 갖는 콘택홀을 구비하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법에 관한 기술이다. 본 발명의 실시예는 20 내지 70MHz 대역의 주파수로부터 생성되는 플라즈마를 이용하는 프로세스 챔버내에서, 반도체 기판상에 제 1 물질막 및 상기 제 1 물질막과 식각 선택비가 상이한 제 2 물질막을 교대로 복수 회 반복 증착하여 몰드 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 몰드 구조물의 중심부 중 어느 한 지점을 기준으로 하부 영역 및 상부 영역으로 구분하고, 상기 하부 영역에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 물질막들은 제 1 경도를 갖고, 상기 상부 영역에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 물질막들에 상기 제 1 경도에 비해 높은 제 2 경도를 갖도록, 상기 챔버와 연결된 가변 캐패시터를 조절하면서 상기 몰드 구조물을 형성한다.