PROBE GUIDE PLATE AND PROBE APPARATUS

프로브 가이드판은 일측 면 및 상기 일측 면의 반대편에 있는 타측 면을 포함하는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판의 일측 면으로부터 상기 실리콘 기판의 타측 면으로 연장되도록 상기 실리콘 기판을 관통하여 형성되는 관통홀; 상기 실리콘 기판의 일측 면, 상기 실리콘 기판의 타측 면, 및 상기 관통홀의 내벽면 상에 형성되는 실리콘 산화물 층; 및 상기 실리콘 산화물 층 상에 형성되는 보호 절연층을 포함한다. 상기 보호 절연층은 상기 실리콘 산화물 층을 통하여 상기 실리콘 기판의 일측 면 및 타측 면 중의 적어도 한 면 상에 형성되며, 또...

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Main Authors MORI CHIKAOMI, FUJIHARA KOSUKE, SHIMIZU YUICHIRO, YAMASAKI TOMOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 02.06.2017
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Summary:프로브 가이드판은 일측 면 및 상기 일측 면의 반대편에 있는 타측 면을 포함하는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판의 일측 면으로부터 상기 실리콘 기판의 타측 면으로 연장되도록 상기 실리콘 기판을 관통하여 형성되는 관통홀; 상기 실리콘 기판의 일측 면, 상기 실리콘 기판의 타측 면, 및 상기 관통홀의 내벽면 상에 형성되는 실리콘 산화물 층; 및 상기 실리콘 산화물 층 상에 형성되는 보호 절연층을 포함한다. 상기 보호 절연층은 상기 실리콘 산화물 층을 통하여 상기 실리콘 기판의 일측 면 및 타측 면 중의 적어도 한 면 상에 형성되며, 또한 상기 실리콘 산화물 층을 통하여 상기 관통홀의 내벽면 상에 부분적으로 형성된다. A probe guide plate includes: a silicon substrate including one surface and the other surface opposite to the one surface; a through hole formed through the silicon substrate to extend from the one surface of the silicon substrate to the other surface of the silicon substrate; a silicon oxide layer formed on the one surface of the silicon substrate, the other surface of the silicon substrate, and an inner wall surface of the through hole; and a protective insulating layer formed on the silicon oxide layer. The protective insulating layer is formed on at least one of the one surface and the other surface of the silicon substrate via the silicon oxide layer, and partially formed on the inner wall surface of the through hole via the silicon oxide layer.
Bibliography:Application Number: KR20160152629