Apparatus for Deposition of Thin Film and Method Using the Same

• Main Authors: LEE, MAN SU, CHOI, YOUNG CHUL, JO, JAE PIL, PARK, DAE HONG, KWON, YOUNG SOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.05.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, a thin-film deposition apparatus, which alternately arranges multiple material films onto a substrate, includes: a chamber having a processing space therein to generate plasma and process the substrate; a gas supply apparatus spraying the process gas into the chamber; a substrate support apparatus which has the substrate mounted on the upper part, is installed to face the gas supply apparatus, and includes a filter for filtering high frequency components inside the chamber; a plasma power supply unit including a first power supply unit and a second power supply unit; and a controller which selectively drives the first and second power supply units and provides a control signal to the filter. The first power supply unit is connected to at least one of the gas supply apparatus and the substrate support apparatus during a first insulation film deposition process to provide first high-frequency power with a center frequency band of 20 to 70 MHz. The second power supply unit is connected to at least one of the gas supply apparatus and the substrate support apparatus during a deposition process of a second insulation film having a different etching selection ratio than the first insulation film to provide second high-frequency power with a center frequency band of 10 to 20 MHz. 본 기술의 일 실시예에 의한 박막 증착 장치는 기판 상에 복수의 물질막을 교대로 증착하는 박막 증착 장치로서, 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 챔버, 챔버 내부로 공정 가스를 분사하기 위한 가스 공급 장치, 가스 공급 장치와 대향하도록 설치되고 상부에 기판이 안착되며, 챔버 내부의 고주파 성분을 필터링하기 위한 필터를 포함하는 기판 지지 장치, 제 1 절연막 증착 공정시 가스 공급 장치와 기판 지지 장치 중 적어도 어느 하나와 연결되어 중심 주파수 대역이 20 내지 70MHz인 제 1 고주파 전력을 제공하는 제 1 전원 공급부와, 제 1 절연막과 식각 선택비가 상이한 제 2 절연막 증착 공정시 가스 공급 장치와 기판 지지 장치 중 적어도 어느 하나와 연결되어 중심 주파수 대역이 10 내지 20MHz인 제 2 고주파 전력을 제공하는 제 2 전원 공급부를 포함하는 플라즈마 전원 공급부 및 제 1 전원 공급부와 제 2 전원 공급부를 선택적으로 구동하며, 필터로 제어신호를 제공하도록 구성되는 컨트롤러를 포함하도록 구성될 수 있다.