MgO INTERFACE ENGINEERING DURING MGO DEPOSITION FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

• Main Authors: NARDI KATIE LYNN, DRAEGER NERISSA SUE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.05.2017
• Subjects: ELECTRICITY

Disclosed are methods of manufacturing magnetic devices. The methods comprise: a step of exposing reducing agent to a magnetic film such as a CoFeB film; before, during, or after depositing a metal oxide film using atomic layer deposition or chemical vapor deposition. Some methods include a step of exposing the magnetic film by cycles by involving exposure to the reducing agent, exposure to a precursor containing magnesium, and exposure to an oxidizer. The methods are suitable to deposit a magnesium oxide layer on a CoFeB layer to form a part of a magnetic tunnel junction. 자기 디바이스들을 제조하는 방법들이 본 명세서에 기술된다. 방법들은 원자층 증착 또는 화학적 기상 증착을 사용하여 금속 옥사이드 막을 증착하기 전, 증착 동안, 또는 증착 후에 환원제에 CoFeB 막과 같은 자기 막을 노출시키는 단계를 수반한다. 일부 방법들은 환원제에 대한 노출, 마그네슘-함유 전구체에 대한 노출, 및 산화제에 대한 노출을 수반하여 사이클들로 자기 막을 노출시키는 단계를 포함한다. 방법들은 자기 터널 접합의 일부를 형성하도록 CoFeB 층 상에 마그네슘 옥사이드 층을 증착하기에 적합하다.