NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD THEREOF

• Main Author: WANG PIN YAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.05.2017
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Provided are a nonvolatile semiconductor memory device and an erasing method thereof, capable of promoting low power consumption. A flash memory of the present invention includes a memory array in which a NAND type string is formed. The memory array includes a plurality of global blocks, one global block includes a plurality of blocks, and one block includes a plurality of NAND type strings. After erasure of a selected block of a selected global block, if the next selected block is adjacent, a charge stored in a P well is discharged to the other P well, and then, the next selected block is erased. Thus, the charge is shared between adjacent P wells, and low power consumption is promoted. 저소비 전력화를 도모하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 소거 방법을 제공한다. 본 발명의 플래시 메모리는 NAND형 스트링이 형성된 메모리 어레이를 포함한다. 메모리 어레이는 복수의 글로벌 블록을 포함하고, 하나의 글로벌 블록이 복수의 블록을 포함하며, 하나의 블록이 복수의 NAND형 스트링을 포함한다. 선택된 글로벌 블록의 선택 블록의 소거를 실시한 후, 다음 선택 블록이 인접한 관계에 있을 때, 일방의 P웰에 축적된 전하를 타방의 P웰에 방전한 후, 다음 선택 블록의 소거를 실시한다. 이에 따라, 인접하는 P웰 사이에서 전하를 공유하고, 저소비 전력화를 도모한다.