METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES

• Main Authors: FISCHER PETRA, GRUBER CHRISTOPH, EHRENTRAUT GEORG, GAISBERGER RICHARD, POELZL MARTIN, STEINBRENNER JUERGEN, JOSHI RAVI KESHAV, BAUMGARTL JOHANNES
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.05.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method to form a semiconductor device includes a masked etching process of performing etching through a layer stack placed on the surface of a semiconductor substrate to expose the semiconductor substrate through non-masked areas of the layer stack. The method more includes a selective etching process of etching at least one first layer of the layer stack placed near the semiconductor substrate. A second layer of the layer stack is less etched than the selective etching of the first layer or not etched at all, and thus, the first layer of the layer stack is etched back to the side between the semiconductor substrate and the second layer of the layer stack. The method more includes a process of growing a semiconductor material on areas of the surface of the semiconductor substrate exposed after the selective etching process. 반도체 디바이스를 형성하는 방법은 층 스택의 비마스크된 영역들에서 반도체 기판을 노출하기 위해 반도체 기판의 표면 상에 배치된 층 스택을 통해, 마스크된 에칭 공정에서, 에칭하는 것을 포함한다. 방법은 반도체 기판에 인접하게 배치된 층 스택의 적어도 제1 층을, 선택적 에칭 공정에서, 에칭하는 것을 더 포함한다. 층 스택의 제2 층은 층 스택의 제1 층의 선택적 에칭에 비해 덜 에칭되거나 전혀 에칭되지 않아서, 층 스택의 제1 층은 반도체 기판과 층 스택의 제2 층 사이에서 측방향으로 에칭 백된다. 방법은 선택적 에칭 공정 후에 노출된 반도체 기판의 표면의 영역들 상에 반도체 재료를 성장하는 것을 더 포함한다.