METHOD OF PROCESSING WORKPIECE

• Main Author: TAHARA SHIGERU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.05.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method to process a wafer in a processing container of a plasma processing device. The present invention is a method to etch a porous film of SiOCH with plasma, capable of suppressing a variety of deterioration such as an increase in the permittivity of the porous film. A wafer includes a porous film and a mask placed on the porous film. The method includes a process of generating plasma of a first gas and plasma of a second gas in the processing container, and a process of etching the porous film by using the mask. The porous film includes SiOCH, the first gas includes fluorocarbon gas, and the second gas includes GeF4 gas. 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 행해지는 웨이퍼를 처리하는 방법이 제공된다. 이 방법은, SiOCH의 다공질막에 대한 플라즈마 에칭의 방법으로서, 다공질막의 유전율의 상승 등의 각종 열화를 억제 가능하게 하는 방법이다. 웨이퍼는, 다공질막과 다공질막 상에 마련되는 마스크를 구비하며, 방법은, 제1 가스의 플라즈마와 제2 가스의 플라즈마를 처리 용기 내에서 발생시키며, 마스크를 이용하여 다공질막을 에칭하는 공정을 포함한다. 다공질막은 SiOCH를 포함하고, 제1 가스는 플루오로카본계 가스를 포함한다. 제2 가스는 GeF가스를 포함한다.