SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

• Main Author: LEE, YEONG HUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.05.2017
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention relates to an electronic device, and more particularly to a semiconductor memory device and an operating method thereof. A semiconductor memory device with improved program time according to the present technique includes a plurality of memory cells programmed to have any one of a plurality of program states separated on the basis of the threshold voltage of a memory cell, and a peripheral circuit performing a main program operation on the plurality of memory cells and performing an additional program operation on the memory cells whose threshold voltages are changed while the main program operation is performed. 본 기술은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 향상된 프로그램 시간을 갖는 반도체 메모리 장치는 메모리 셀의 문턱전압을 기초로 구분되는 복수의 프로그램 상태들 중 어느 한 프로그램 상태를 갖도록 프로그램 되는 복수의 메모리 셀들 및 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 메인 프로그램 동작을 수행하고, 상기 메인 프로그램 동작이 수행되는 동안 문턱전압이 변경된 메모리 셀들에 대한 추가 프로그램 동작을 수행하는 주변회로를 포함한다.