OPC Method for fabricating mask and semiconductor device using OPCOptical Proximity Correction

• Main Authors: SHIM, WOO SEOK, LIANG WENQING
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.05.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The technical idea of the present invention provides a mask manufacturing method and a semiconductor device manufacturing method, which can reduce the turn-around time (TAT) and the required performance of a system by forming dummy patterns while maintaining a hierarchical structure. The mask manufacturing method comprises the following steps of: designing a layout for a main pattern; performing integrated optical proximity correction (OPC) for the layout; transmitting design data obtained through the integrated OPC as mask tape-out (MTO) design data; preparing mask data based on the MTO design data; and performing exposure on a mask substrate based on the mask data. In the step of performing the integrated OPC, a dummy pattern is generated while maintaining the hierarchical structure. 본 발명의 기술적 사상은 계층 구조를 유지하면서 더미 패턴들을 형성함으로써, TAT(Turn Around Time) 감소 및 시스템의 요구성능을 낮출 수 있는 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 그 마스크 제조방법은 메인(main) 패턴에 대한 레이아웃(layout)을 디자인하는 단계; 상기 레이아웃에 대하여 통합 OPC(Optical Proximity Correction)를 수행하는 단계; 상기 통합 OPC를 통해 획득한 디자인 데이터를 MTO(Mask Tape-Out) 디자인 데이터로서 전달하는 단계; 상기 MTO 디자인 데이터에 기초하여 마스크 데이터를 준비하는 단계; 및 상기 마스크 데이터에 기초하여 마스크용 기판 상에 노광을 수행하는 단계;를 포함하고, 상기 통합 OPC를 수행하는 단계에서, 계층 구조(hierarchical structure)를 유지하면서 더미(dummy) 패턴을 생성한다.