MAGNETIC ELEMENT SKYRMION MEMORY SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE DATA-STORAGE DEVICE DATA PROCESSING AND COMMUNICATION DEVICE

• Main Authors: NAKAMURA MASAO, KAWASAKI MASASHI, MATSUNO JOBU, KANEKO YOSHIO, TOKURA YOSHINORI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.04.2017
• Subjects: ELECTRICITY

자성층과 비자성층으로 이루어지는 적층 막으로 스커미온을 생성할 수 있는 자기 소자 및 이 자기 소자를 응용한 스커미온 메모리 등을 제공한다. 이차원 적층 막을 구비한 스커미온을 생성하기 위한 자기 소자로서, 이차원 적층막은 자성막과 자성막에 적층한 비자성막으로 구성된 다층막을 적어도 하나 이상 적층한 이차원 적층막을 갖는 자기 소자를 제공한다. 또한, 당해 자기 소자를 두께 방향으로 복수 적층하고있는 스커미온 메모리를 제공한다. Provided is a magnetic element which can generate a skyrmion by a stacked film including a magnetic layer and a non- magnetic layer, and a skyrmion memory to which the magnetic element is applied and the like. Provided is a magnetic element for generating a skyrmion, the magnetic element comprising a two-dimensional stacked film, wherein the two-dimensional stacked film is-at least one or more multiple layered films including a magnetic film and a non-magnetic film stacked on the magnetic film. Also, provided is a skyrmion memory including a plurality of the magnetic elements stacked in a thickness direction.