REFRACTORY OBJECT AND PROCESS OF FORMING A GLASS SHEET USING THE REFRACTORY OBJECT

내화체는 적어도 대략 10 wt%의 AlO및 적어도 대략 1 wt%의 SiO를 포함한다. 실시태양에서, 내화체는 첨가제를 포함한다. 특정 실시태양에서, 첨가제는 TiO, YO, SrO, BaO, CaO, TaO, FeO, ZnO, 또는 MgO를 포함한다. 내화체는 적어도 대략 3 wt%의 첨가제를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 적어도 대략 1 x 10h이다. 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 대략 5 x 10h이하이다. 예시적...

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Main Authors FOURCADE JULIEN P, KAZMIERCZAK ANDREA, CITTI OLIVIER
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.04.2017
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Summary:내화체는 적어도 대략 10 wt%의 AlO및 적어도 대략 1 wt%의 SiO를 포함한다. 실시태양에서, 내화체는 첨가제를 포함한다. 특정 실시태양에서, 첨가제는 TiO, YO, SrO, BaO, CaO, TaO, FeO, ZnO, 또는 MgO를 포함한다. 내화체는 적어도 대략 3 wt%의 첨가제를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 적어도 대략 1 x 10h이다. 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 대략 5 x 10h이하이다. 예시적 실시태양에서, 내화체는 유리 넘침통 또는 성형블록을 포함한다. A refractory object can include Al2O3at a content in a range of approximately 10 wt% Al2O3to approximately 94 wt% Al2O3; SiO2at a content of at least approximately 1.1 wt% SiO2; an additive at a content of at least 0.2 wt% additive. The additive can include TiO2, Y2O3, CaO, MgO, or any combination thereof. The creep rate of the refractory object can be no greater than approximately 1 x 10-4h-1.
Bibliography:Application Number: KR20177008419