LAMINATE WIRING LAYER FOR AN ELECTRONIC COMPONENT AND A SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING A COATING LAYER

• Main Author: MURATA HIDEO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.04.2017
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TRANSPORTING

Provided is a sputtering target material for producing a cover layer and a lamination wire membrane for an electronic component, wherein the sputtering target material comprises: a conductive layer consisting of Al or an Al alloy; and a novel cover layer for ensuring closely placing properties, corrosion resistance, and oxidation resistance on the cover layer for covering at least one side of the conductive layer, and stably performing high precision wet etching. The lamination wire membrane for an electronic component comprises a conductive layer made of Al or an Al alloy and a cover layer for covering at least one surface of the conductive layer. The cover layer contains 30 to 75 atom% of Ni, and one or more elements selected from Mn and Cu. The remaining part thereof includes Mo and unavoidable impurities. Al 또는 Al 합금으로 이루어지는 도전층과, 이 도전층 중 적어도 한쪽을 덮는 피복층에 밀착성, 내식성, 내산화성을 확보함과 함께, 안정적으로 고정밀도의 습식 에칭을 행하는 것이 가능해지는 신규의 피복층을 갖는 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재를 제공한다. Al 또는 Al 합금으로 이루어지는 도전층과, 해당 도전층 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층을 갖는 전자 부품용 적층 배선막에 있어서, 상기 피복층은 Ni을 30 내지 75원자％, Mn 및 Cu로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 함유하고, 잔부가 Mo 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전자 부품용 적층 배선막 및 Ni을 30 내지 75원자％, Mn 및 Cu로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 함유하고, 잔부가 Mo 및 불가피적 불순물로 이루어지는 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재이다.