SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: IMAI AKIFUMI, KURAHASHI KENICHIRO, SUITA MUNEYOSHI, NANJO TAKUMA, YAGYU EIJI, OKAZAKI HIROYUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.04.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device capable of suppressing electric current collapse with good reproducibility and a manufacturing method thereof. Nitride semiconductor layers (3, 4) are formed on a substrate (1). A source electrode (5), a gate electrode (7), and a drain electrode (6) are formed on the nitride semiconductor layers (3, 4). A SiN surface protective film (8) covers the nitride semiconductor layers (3, 4). The composition ratio of Si and N constituting a Si-N bond of the SiN surface protective film (8) is 0.751 to 0.801. (과제) 재현성이 좋게 전류 붕괴를 억제할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 얻는다. (해결 수단) 기판(1)상에 질화물 반도체층(3, 4)이 형성되어 있다. 질화물 반도체층(3, 4)상에 소스 전극(5), 게이트 전극(7) 및 드레인 전극(6)이 형성되어 있다. SiN 표면 보호막(8)이 질화물 반도체층(3, 4)을 덮는다. SiN 표면 보호막(8)의 Si-N 결합을 이루는 Si와 N의 구성비 Si/N이 0.751~0.801이다.