SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF FORMING PATTERN

• Main Authors: JEON, KYUNG YUB, LEE, JIN WOOK, YANG, KWANG YONG, KIM, DO HYOUNG, JUNG, HAE GEON, HAN, DONG WOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.04.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor element according to an embodiment of the present invention comprises: forming a first active pattern protruding from a substrate of a first area and a second active pattern protruding from the substrate of a second area; forming first gate structures on the first active pattern and second gate structures on the second active pattern; forming a coating film covering the first and second gate structures and the first and second active patterns; and forming a first recess area in the first active pattern among the first gate structures and a second recess area in the second active pattern among the second gate structures. Therefore, the semiconductor element with improved electrical characteristics can be provided. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 제 1 영역의 기판으로부터 돌출되는 제 1 활성 패턴 및 제 2 영역의 상기 기판으로부터 돌출되는 제 2 활성 패턴을 형성하고, 상기 제 1 활성 패턴 상의 제 1 게이트 구조체들 및 상기 제 2 활성 패턴 상의 제 2 게이트 구조체들을 형성하며, 상기 제 1 및 제 2 게이트 구조체들 및 상기 제 1 및 제 2 활성 패턴들을 덮는 코팅막을 형성한 후에, 상기 제 1 게이트 구조체들 사이의 상기 제 1 활성 패턴 내에 제 1 리세스 영역 및 상기 제 2 게이트 구조체들 사이의 상기 제 2 활성 패턴 내에 제 2 리세스 영역을 형성하는 것을 포함한다.