WAFER PROCESSING METHOD

• Main Authors: MILAN SIRY, WATANABE YOSHIO, TABUCHI TOMOTAKA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.03.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a processing method for a wafer, which can divide a wafer along a division prediction line using a device with high flexure strength by plasma etching without using an exposure device, a developing device, and an exclusive treatment facility. The processing method for a wafer, which can divide a wafer having the device in multiple areas divided by the multiple division prediction lines into the individual devices along the division prediction line, wherein the multiple division prediction lines are formed on the surface of the wafer in a lattice form. The processing method for a wafer includes: a reforming layer forming process of radiating a laser beam of a wavelength with penetrability on the wafer from the surface or the rear surface of the wafer to a light collection point along the division prediction line by determining the position of the light collection point and of forming a reforming layer along the division prediction line in the wafer; a protection film forming process of forming a protection film by coating the surface or the rear surface of the wafer with a water-soluble resin; a division process of applying an outer force to the wafer which is processed by the reforming layer forming process and the protection film forming process, dividing the wafer to the individual device along the division prediction line having the reforming layer, and of forming a gap between devices adjacent; an etching process of supplying plasma etching gas from the protection film of the wafer which is processed by the division process and etching and removing the reforming layer remaining on a side of the device; and a protection film removing process of removing the protection film formed of the water-soluble resin by supplying water to the device which is processed by the etching process. (과제) 노광 장치 및 현상 장치를 사용하지 않고 전용의 처리 설비를 사용하지 않고 플라즈마 에칭에 의해 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 항절 강도가 높은 디바이스로 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다. (해결 수단) 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있음과 함께 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면 또는 이면으로부터 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 내부에 집광점을 위치 결정하여 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 웨이퍼의 표면 또는 이면에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과, 개질층 형성 공정 및 보호막 형성 공정이 실시된 웨이퍼에 외력을 부여하고, 웨이퍼를 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할함과 함께, 인접하는 디바이스와 디바이스 사이에 간극을 형성하는 분할 공정과, 분할 공정이 실시된 웨이퍼의 보호막측으로부터 플라즈마화된 에칭 가스를 공급하여 디바이스의 측면에 잔존하는 개질층을 에칭하여 제거하는 에칭 공정과, 에칭 공정이 실시된 디바이스에 물을 공급하여 수용성 수지로 이루어지는 보호막을 제거하는 보호막 제거 공정을 포함한다.