MAGNETIC FIELD-ASSISTED MEMORY OPERATION

• Main Authors: TOMISHIMA SHIGEKI, NAEIMI HELIA, LU SHIH LIEN L
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.03.2017
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

일 실시예에서, 예를 들어 스핀 전달 토크(STT) 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 같은 자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM)는 비트셀들의 서브어레이 및 서브어레이에 인접하여 위치되는 전자석을 갖는다. 자기장은 서브어레이의 비트셀들의 상태들을 제1 상태로부터 제2 상태로 변경하는 것을 지원하기 위해 제1 서브어레이의 비트셀들의 강자성 디바이스를 통해 지향되며 비트셀의 강자성 디바이스는 평행 및 역평행 분극 중 하나로부터 평행 및 역평행 분극 중 다른 것으로 변경된다. 따라서, 서브어레이의 콘텐츠는 전자석으로부터의 지원에 의해 평행 또는 역평행 상태 중 하나로 용이하게 사전 설정되거나 소거될 수 있다. 정상 기록 동작 동안, 다른 상태에 대한 비트들이 기록된다. 다른 양태들이 본원에 설명된다. In one embodiment, a magnetoresistance random access memory (MRAM) such as a spin transfer torque (STT) random access memory (RAM), for example, has a subarray of bitcells and an electro-magnet positioned adjacent the subarray. A magnetic field is directed through a ferromagnetic device of bitcells of the first subarray to assist in the changing of states of bitcells of the subarray from a first state to a second state in which the ferromagnetic device of the bitcell is changed from one of parallel and anti-parallel polarization to the other of parallel and anti-parallel polarization. Accordingly, the content of the subarray may be readily preset or erased to one of the parallel or anti-parallel state with assistance from an electro-magnet. During a normal write operation, the bits to the other state are written. Other aspects are described herein.