METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
본 발명은 과립화된 다결정 실리콘의 제조 방법으로서, 다결정 실리콘 로드를 생성시킬 수 있도록 전류의 직접 통과에 의해 가열되는 담체 상에 다결정 실리콘을 침적시키는 방법에 관한 것이다. 상기 담체는 반응기의 베이스 플레이트 상에 유지되고 전극에 의해 전류를 공급받고, 다결정 실리콘 로드가 원하는 최종 직경에 도달하였을 때 다결정 실리콘의 침적이 중지된다. 그리고나서 상기 다결정 실리콘 로드는 반응기로부터 분리되고 반응기에 새로운 담체가 장착되어 추가의 다결정 실리콘 로드를 생성한다. 반응기의 베이스 플레이트는, 반응기로부터 다결정...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
20.03.2017
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