METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

본 발명은 과립화된 다결정 실리콘의 제조 방법으로서, 다결정 실리콘 로드를 생성시킬 수 있도록 전류의 직접 통과에 의해 가열되는 담체 상에 다결정 실리콘을 침적시키는 방법에 관한 것이다. 상기 담체는 반응기의 베이스 플레이트 상에 유지되고 전극에 의해 전류를 공급받고, 다결정 실리콘 로드가 원하는 최종 직경에 도달하였을 때 다결정 실리콘의 침적이 중지된다. 그리고나서 상기 다결정 실리콘 로드는 반응기로부터 분리되고 반응기에 새로운 담체가 장착되어 추가의 다결정 실리콘 로드를 생성한다. 반응기의 베이스 플레이트는, 반응기로부터 다결정...

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Main Authors POPP FRIEDRICH, HERTLEIN HARALD
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 20.03.2017
Subjects
CHEMISTRY
COMPOUNDS THEREOF
INORGANIC CHEMISTRY
METALLURGY
NON-METALLIC ELEMENTS
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Summary:본 발명은 과립화된 다결정 실리콘의 제조 방법으로서, 다결정 실리콘 로드를 생성시킬 수 있도록 전류의 직접 통과에 의해 가열되는 담체 상에 다결정 실리콘을 침적시키는 방법에 관한 것이다. 상기 담체는 반응기의 베이스 플레이트 상에 유지되고 전극에 의해 전류를 공급받고, 다결정 실리콘 로드가 원하는 최종 직경에 도달하였을 때 다결정 실리콘의 침적이 중지된다. 그리고나서 상기 다결정 실리콘 로드는 반응기로부터 분리되고 반응기에 새로운 담체가 장착되어 추가의 다결정 실리콘 로드를 생성한다. 반응기의 베이스 플레이트는, 반응기로부터 다결정 실리콘 로드를 추출한 후 그리고 반응기에 새로운 담체를 장착하기 전 세척된다. 본 발명은 베이스 플레이트의 세척이 상이한 응집체 상태의 2종 이상의 세척제가 사용되는 2 이상의 세척 단계를 실시한다는 점을 특징으로 한다. The rate of rod fallover in the production of polycrystalline silicon by the Siemens process is sharply reduced by cleaning the Siemens reactor base plate by at least a two-step procedure comprising suctioning the base plate in one step, and subsequently cleaning with liquid or solid cleaning medium in a second step, between each phase of rod removal and new support body installation.
Bibliography:Application Number: KR20177003939