SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING ION IMPLANTATION

• Main Authors: SMITH DAVID D, WESTERBERG STAFFAN, WEIDMAN TIMOTHY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.03.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

이온 주입을 사용하여 태양 전지 이미터 영역을 제조하는 방법, 및 생성되는 태양 전지가 기술된다. 일례에서, 배면 접점 태양 전지는 수광 표면 및 배면 표면을 갖는 결정질 규소 기판을 포함한다. 결정질 규소 기판 위에 제1 다결정 규소 이미터 영역이 배치된다. 제1 다결정 규소 이미터 영역은 제1 전도성 유형의 도펀트 불순물 화학종으로 도핑되고, 제1 전도성 유형의 도펀트 불순물 화학종과는 상이한 보조 불순물 화학종을 추가로 포함한다. 제2 다결정 규소 이미터 영역이 결정질 규소 기판 위에 배치되고, 제1 다결정 규소 이미터 영역에 인접하지만 그로부터 분리되어 있다. 제2 다결정 규소 이미터 영역은 제2 반대 전도성 유형의 도펀트 불순물 화학종으로 도핑된다. 제1 및 제2 전도성 접점 구조물들은 제1 및 제2 다결정 규소 이미터 영역들에 각각 전기적으로 연결된다. Methods of fabricating solar cell emitter regions using ion implantation, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell includes a crystalline silicon substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate. The first polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a first conductivity type and further includes ancillary impurity species different from the dopant impurity species of the first conductivity type. A second polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate and is adjacent to but separated from the first polycrystalline silicon emitter region. The second polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a second, opposite, conductivity type. First and second conductive contact structures are electrically connected to the first and second polycrystalline silicon emitter regions, respectively.