SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

• Main Author: HIROCHI YUKITOMO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.03.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

According to the present invention, productivity of a processing apparatus comprising a plurality of processing chambers is increased. The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising: a plurality of processing chambers capable of processing substrates; a processing gas supply unit which can supply processing gas to each of the processing chambers; a purge gas supply unit which can supply purge gas to each of the processing chambers; a ventilation unit which can ventilate one or all of the processing chambers; and a control unit which transfers a substrate to one of the processing chambers, and, when the substrate is not transferred to at least another processing chamber other than the one processing chamber, supplies the processing gas to the one processing chamber, and at the same time, supplies purge gas to another processing chamber, and controls the processing gas supply unit, the purge gas supply unit, and the ventilation unit to ventilate one processing chamber and the other processing chamber. 본 발명은 복수의 처리실을 포함하는 처리 장치의 생산성을 향상시킨다. 기판을 처리 가능한 복수의 처리실; 복수의 처리실 각각에 처리 가스를 공급 가능한 처리 가스 공급부; 복수의 처리실 각각에 퍼지 가스를 공급 가능한 퍼지 가스 공급부; 복수의 처리실 중 어느 하나 또는 전체를 배기 가능한 배기부; 및 복수의 처리실 중 하나의 처리실에 기판을 반송하고, 상기 하나의 처리실 이외의 적어도 하나의 다른 처리실에 기판을 반송하지 않는 경우에 하나의 처리실로의 상기 처리 가스의 공급과 병행하여 다른 처리실에 퍼지 가스를 공급하는 것과 함께, 하나의 처리실과 다른 처리실을 배기하도록 처리 가스 공급부와 퍼지 가스 공급부와 배기부를 제어하는 제어부;를 포함한다.